CNT等離子體增強(qiáng)沉積爐是專業(yè)生長高質(zhì)量石墨烯、碳納米管、二維硫化鉬的專用設(shè)備，也可用用于碳化硅、金屬薄膜、陶瓷薄膜其他材料的生長，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于航空航天、微電子、生物醫(yī)藥、納米材料等領(lǐng)域。

等離子體增強(qiáng)沉積爐主要由預(yù)熱爐（用于氣體預(yù)熱、固體原料蒸發(fā)）、等離子射頻發(fā)生器、高溫生長腔體、石英管、石英支架、氣路系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、自動化控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等組成。

1、預(yù)熱爐可以給進(jìn)入真空腔體的氣體或材料提前預(yù)熱、固體原料蒸發(fā)，預(yù)熱溫度范圍室溫～800℃（可根據(jù)工藝的實際需要進(jìn)行調(diào)整）；

2、等離子射頻發(fā)生器，輸出功率5 -500W可調(diào)，頻率：13.56 MH

3、生長腔體采用進(jìn)口高純石英管，配石英支架，

4、加熱腔體采用進(jìn)口陶瓷纖維加熱器，均溫區(qū)600mm、對開式結(jié)構(gòu)；

5、加熱爐體配有移動滑軌，可左右移動；

6、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì)，配水冷套，可連續(xù)長時間工作；

7、氣路系統(tǒng)采用多路質(zhì)量流量計，配預(yù)混系統(tǒng)；

8、真空系統(tǒng)采用機(jī)械泵，可選配擴(kuò)散泵或分子泵機(jī)組；

9、控制系統(tǒng)采用10寸觸摸屏加西門子PLC模塊；

10、氣體種類：N2、H2、CH4、C2H4D、He/Ar、C2H2、NH3、N2，H2、PH3、GeH4、B2H6等

11、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關(guān)的實驗參數(shù)，自動保存實驗參數(shù)，也可采用手動控制

12、系統(tǒng)采用集成化設(shè)計，控制系統(tǒng)、混氣罐、質(zhì)量流量計等均內(nèi)置在箱體內(nèi)部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。