IGBT突波吸收電容
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，
多條引線設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過(guò)壓能力。
用于各類(lèi)IGBT緩沖線路突波吸收，各類(lèi)高頻諧振線路

材料特性
電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)
封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹(shù)脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).
尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)
電氣特性
電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切: 測(cè)試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
              Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF 測(cè)試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測(cè)試條件 10s，t 25±5℃，1Min
工作溫度: -40~+85℃
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