AA海口柔性石墨廠家第三代半導(dǎo)體
公司名稱：武漢黌門電工科技有限公司
聯(lián)系電話：18163553099
官方網(wǎng)站：whhmdg/
地址：武大科技園興業(yè)樓北樓1-1002
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產(chǎn)品介紹：
石墨基柔性接地體是武漢黌門電工科技有限公司研發(fā)的國家發(fā)明專利產(chǎn)品，采用柔化工藝將具有良好導(dǎo)電性和耐腐性的石墨進行柔化改性，使其電氣性能、理化性能、力學(xué)性能滿足防雷接地技術(shù)及工程施工要求，徹底解決輸電線路桿塔、變電站、發(fā)電廠、通訊基站、鐵路、港口碼頭、油氣設(shè)施、建筑等工業(yè)及民用接地設(shè)施腐蝕及接地電阻不穩(wěn)定問題，實現(xiàn)接地工程永久免維護！

其主要技術(shù)特征表現(xiàn)為以下8個方面
1）良好的耐腐性，適應(yīng)我國任何土壤類型
構(gòu)成石墨基柔性接地體的所有成分均具有良好的耐腐性，能經(jīng)受濱海地區(qū)的氯化物鹽土，新疆、甘肅、寧夏、內(nèi)蒙的硫酸鹽鹽土，東北、山西的蘇打鹽土，廣西、貴州和云南等的喀斯特土壤等各類土壤的腐蝕，壽命不低于30年。能經(jīng)受降阻劑、抗凍劑、綠化化肥及殺蟲劑的腐蝕，擴大了降阻技術(shù)的應(yīng)用面
2）與土壤具有良好的粘結(jié)性，與土壤的接觸電阻低值穩(wěn)定
石墨基柔性接地體截面大，表面粗糙構(gòu)成細孔，能和土壤緊密咬合粘接，可隨土壤一起蠕變而不脫離產(chǎn)生空氣界面，在土壤季節(jié)性干裂、融水沉降、冰凍、凍土融化產(chǎn)生蠕變的情況下，接地體與土壤的接觸電阻始終保持穩(wěn)定的低值。
3）大電流沖擊下良好的動熱穩(wěn)定性，溫升低避免土壤燒結(jié)
石墨基柔性接地體采用大截面電流分散技術(shù)降低發(fā)熱功率密度，采用比熱容大的材料提高吸熱能力，采用土壤水分滲透技術(shù)限制溫升，在大電流雷電和短路情況下接地體性能穩(wěn)定，同時避免高溫引起接地體接觸面土壤的燒結(jié)。
4）采用非磁性材料大大延長有效接地長度，成為大地網(wǎng)降阻的唯一選擇
石墨基柔性接地體為非導(dǎo)磁材料，在工頻及雷擊高頻沖擊下其有效散流長度遠遠大于鋼材類接地體，可使大地網(wǎng)工頻接地電阻成倍下降，是大型電廠、變電站地網(wǎng)降阻的唯一選擇。
5）具有良好的工程性，運輸、開挖、回填等變得簡單易行
石墨基柔性接地體比重為金屬類接地體的1/10，輕便易運輸；可蛇形開挖，避開巖石、樹木，開挖量少，不破壞綠化；可泥漿回填，回填緊致；接地體壓接互聯(lián)，無需焊接，無需電源焊機等現(xiàn)場要求。
6）石墨基柔性接地體取代金屬類接地材料，良好的技術(shù)經(jīng)濟性
經(jīng)濟效益：一次投入，長期穩(wěn)定，免去安規(guī)要求的定期檢測接地電阻，避免接地改造的重復(fù)性投入，節(jié)約人力物力，全壽命周期成本（LCC）最低
提高資源利用率：接地系統(tǒng)長期出于休眠狀態(tài)，只有發(fā)生雷擊或短路時發(fā)揮作用，雷擊或短路是極小概率事件，不該浪費珍貴的鋼材銅材。
7）無回收價值，可避免偷盜
8）石墨基柔性接地體取代金屬類接地材料，減排減霾，實現(xiàn)良好的社會效益
每消耗一噸鋼材（相當(dāng)于平均1個桿塔的接地用量）等同于消耗240kg標(biāo)準(zhǔn)煤及3.5噸新水，同時排放600kg左右的CO2、30kg左右的SO2和NOX及160kg左右的炭灰，而銅則更是寶貴的有色金屬資源。這些材料一旦埋入地下就難以回收再利用，所以傳統(tǒng)的金屬性接地工程既高能耗也高排放。其主材石墨原料在我國儲量極其豐富，生產(chǎn)加工過程能耗低，不排放任何污染物

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2017-12-1811:03:34百方網(wǎng)【中國電工電氣網(wǎng)】訊12月16日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲在半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略研討會上表示，2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將在移動通信、高效電能管理中國產(chǎn)化率占50%LED通用照明市場占有率達到80%，核心器件國產(chǎn)化率達到95%第三代半導(dǎo)體器件在新能源汽車、消費類電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。目前，第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升已經(jīng)逼近材料的物理極限，難以支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展，難以應(yīng)對能源與環(huán)境面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，難以滿足高新技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展，迫切需要發(fā)展新一代半導(dǎo)體技術(shù)。中微半導(dǎo)體副總經(jīng)理季華認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化需要從全產(chǎn)業(yè)鏈考慮，不僅是制造和設(shè)備，還包括關(guān)鍵零部件。同時，國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)需要參與全球競爭，才能夠?qū)崿F(xiàn)健康穩(wěn)健發(fā)展。吳玲還稱，我國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。但目前仍面臨多重緊迫性。其中，光電子材料和器件領(lǐng)域與國際先進水平相比處于并跑狀態(tài)功率半導(dǎo)體材料和器件、射頻材料和器件與國際先進水平相比處于跟跑狀態(tài)。目前國際上已經(jīng)有近10家企業(yè)具有商業(yè)化產(chǎn)品，英飛凌量產(chǎn)器件2018年將大規(guī)模推出。此外，還有產(chǎn)業(yè)