歐姆龍OMRON開關(guān)E3Z-T81-D|E3Z-T86-D
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變壓器一次
側(cè)的直流電
阻(Ω )
沖擊電流 
(A)
SSR的浪涌
接通電流容
量(A )
適用SSR 
G3P□ G3NA G3NE G3NH9.1以上 75 150－-410□－－
6.2～9.0 110 220 
-420□ 
-430□ 
-420□－－
3.1～6.1 220 440 -450□－－－

8.變壓器的分接頭轉(zhuǎn)換
通過SSR切換變壓器的分接頭時(shí)，請注意感應(yīng)OFF側(cè)SSR的電壓。
感應(yīng)電壓與卷數(shù)(≈分接頭電壓)成比例。
下圖中，電源電壓200V，N1＝100次、N2＝100次，若SSR2置于ON，
則會(huì)在SSR1兩端施加電源電壓2倍的電壓400V，因此，對于SSR1，
務(wù)必使用400V的SSR。

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SSR1 
SSR2N1 
N2 
負(fù)載加熱器 



■SSR的使用方法
●散熱設(shè)計(jì)
①SSR的發(fā)熱量
作為輸出半導(dǎo)體用于SSR的三端雙向可控硅開關(guān)、晶閘管、功率
晶體管，即使在接通時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)部仍有殘留電壓。這是輸出接
通電壓下降。為此，流入負(fù)載電流時(shí)SSR會(huì)產(chǎn)生焦耳熱。此時(shí)的
發(fā)熱量P(W)如下計(jì)算：
 發(fā)熱量P(W)＝輸出接通電壓下降(V)×通電電流(A)
例如，使用G3NA-210B通負(fù)載電流8A的話為：
 P＝1.6V×8A＝12.8W
功率MOS FET在輸出半導(dǎo)體上使用的MOS FET繼電器，不是殘留
電壓，用ON電阻計(jì)算發(fā)熱量。
發(fā)熱量P(W)如下計(jì)算：
 P(W)＝負(fù)載電流 2(A)×ON電阻(Ω)
用G3RZ負(fù)載電流為0.5A時(shí)，為
 P(W)＝0.5 2A×2.4Ω＝0.6W
電源MOS FET有根據(jù)溫度上升ON電阻的特性。因此，通電中ON電
阻是變化的。負(fù)載電流為額定的80％以上時(shí)，簡易算法為用ON電
阻的1.5倍來計(jì)算。
 PP(W)＝1 2A×2.4Ω×1.5＝3.6WSSR一般到5A程度沒有散熱器也可以，但超過的話就一定要有散
熱器。隨著負(fù)載電流的變大，需要更大型的散熱器。與有接點(diǎn)的
繼電器相比10A以上含散熱器的尺寸差很顯著，小型化的特點(diǎn)會(huì)
變得不利。

②散熱器的選擇
另行安裝散熱器的SSR(G3NA、G3NE、G3PB(三相)等)中備有標(biāo)準(zhǔn)
散熱器，請從商品樣本上選擇符合負(fù)載電流的標(biāo)準(zhǔn)散熱器。
例如， 
G3NA-220B: Y92B-N100 
G3NE-210T(L): Y92B-N50 
G3PB-235B-3H-VD: Y92B-P200

使用市場上銷售的散熱器時(shí)，請選用熱電阻小于本公司標(biāo)準(zhǔn)散
熱器的散熱器。
例如，Y92B-N100的熱電阻值為
 Y92B-N100的熱電阻值＝1.63℃/W
如果散熱器的熱電阻值比該值更小(如1.5℃/W)，則可在額定的
條件下使用G3NA-220B。
熱電阻值表示每單位熱量(W)的溫度上升，該值越小則散熱性越
好。

固態(tài)繼電器 技術(shù)指南 

..........
③散熱板面積的計(jì)算方法
將另行安裝散熱器的SSR直接安裝在控制柜等框架上使用時(shí)，必
須注意下列事項(xiàng)。


·將用于一般柜上的鐵材料作為散熱板使用時(shí)，請盡量避免 10A