太能能薄膜電池檢測-太陽能晶體硅電池片檢測-太陽能光伏光電池-上海光學儀器廠

上海長方光學儀器廠開發(fā)了針對光伏產(chǎn)業(yè)的硅片檢測顯微鏡，以滿足日益增長的硅片檢測需要.此顯微鏡可以很清楚地看到硅片的”  金字塔”  的微觀形貌分布情況，及硅片的缺陷分析服務http://www.shchfang.com/guipian/gpjs003.htm

晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類，用P型（或n型）硅襯底，通過磷（或硼）擴散形成Pn結(jié)成制作，生產(chǎn)技術(shù)成熟，是光伏市場上的主導產(chǎn)品。采用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術(shù)，提高材料中的載流子收集效率，優(yōu)化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉(zhuǎn)換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，目前比較大的為  ∮10至  20cm的圓片，年產(chǎn)能力46MW/a。目前主要課題是繼續(xù)擴大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，開發(fā)帶狀硅光電池技術(shù)，提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24％，空間用高質(zhì)量的效率在AMO條件約為13.5—18％地面用大量生產(chǎn)的在AM1條件下多在11—18％之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替＃晶硅，可降低成本，但效率較低。優(yōu)化正背電極的銀漿和鋁漿絲網(wǎng)印刷，磨圖拋工藝，千方百計進一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光電池的轉(zhuǎn)換效率最高達18.6%。

非晶硅光電池http://www.shchfang.com/guipian/gpjs003.htm

      a－Si（非晶硅）光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成。由于外解沉積溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜，易于大面積化（05rn×l.0m），成本較低，多采用p  in結(jié)構(gòu)。為提高效率和改善穩(wěn)定性，有時還制成三層P  in等多層疊層式結(jié)構(gòu)，或是插入一些過渡層。其商品化產(chǎn)量連續(xù)增長，年產(chǎn)能力45MW／a，10MW生產(chǎn)線已投入生產(chǎn)，全球市場用量每月在1千萬片左右，居薄膜電池首位。發(fā)展集成型a－Si光電池組件，激光切割的使用有效面積達90％以上，小面積轉(zhuǎn)換效率提高到  14.6％，大面積大量生產(chǎn)的為8－10％，疊層結(jié)構(gòu)的最高效率為21％。研發(fā)動向是改善薄膜特性，精確設計光電池結(jié)構(gòu)和控制各層厚度，改善各層之間界面狀態(tài)，以求得高效率和高穩(wěn)定性。

　多晶硅光電池

      P－Si（多晶硅，包括微品）光電池沒有光致衰退效應，材料質(zhì)量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p－Si光電池轉(zhuǎn)換效率為15.3％，經(jīng)減薄襯底，加強陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為12.6—l7.3%。采用廉價襯底的p—si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或?qū)—si：H材料膜進行后退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a—si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％大面積低溫p—si膜與—si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高比a—S光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28％