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    湖北武漢三工光電設(shè)備制造有限公司

    主營:太陽能成套設(shè)備、激光劃片機(jī)、電池片分選機(jī)、太陽能組件測試儀、金屬切割機(jī)、激光打標(biāo)機(jī)、激光調(diào)阻機(jī)
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    [供應(yīng)]供應(yīng)華東太陽能電池EL檢測機(jī)
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    • 產(chǎn)品產(chǎn)地:武漢
    • 產(chǎn)品品牌:三工光電
    • 包裝規(guī)格:EL140S-M
    • 產(chǎn)品數(shù)量:1000
    • 計量單位:臺
    • 產(chǎn)品單價:
    • 更新日期:2019-02-23 16:21:30
    • 有效期至:2020-02-23
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    供應(yīng)華東太陽能電池EL檢測機(jī) 詳細(xì)信息

                         太陽能電池EL檢測機(jī)
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    進(jìn)口關(guān)鍵部件:采用原裝進(jìn)口紅外相機(jī),保證了設(shè)備的整體品質(zhì)。
    全封閉式光路設(shè)計:封閉式光路設(shè)計可保證設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn),更好的適應(yīng)不同的使用環(huán)境
    強(qiáng)大專用測試軟件:全中文顯示界面,可自動手動掃描圖形碼編號并按編碼進(jìn)行文件保存??煞糯髵呙鑸D像顯示細(xì)節(jié),方便判斷。
    應(yīng)用范圍
    該設(shè)備用于檢測太陽能電池組件有無隱裂、碎片、虛焊、斷柵及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異常現(xiàn)象。
    太陽能電池EL檢測機(jī)主要參數(shù)

    型號規(guī)格                       EL140S-M

    有效測試面積                   1200mm X 2100mm

    分辨率                         140萬像素,600萬像素,1200萬像素或1600萬像素

    靈敏度                         可檢測出裂紋寬度小于0.2μm

    測試時間                       1s—60s自由設(shè)定

    測試方式                       無接觸式

    電源參數(shù)                      單相220V 10A 最大加載電壓80V,最大加載電流 10A

    配置                          測試機(jī)臺(含紅外成像儀)、電腦、專業(yè)軟件

    太陽能電池EL檢測機(jī)原理

    電致發(fā)光亮度正比于少子擴(kuò)散長度:

    對太陽能電池加載電壓后,使之發(fā)光,再利用紅外成像儀攝取其發(fā)光影像,因電致發(fā)光亮度正比于少子擴(kuò)散長度,缺陷處因具有較低的少子擴(kuò)散長度而發(fā)出較弱的光,從而形成較暗的影像。

    有效定位缺陷類型:

    通過對產(chǎn)品缺陷圖像的觀察,可以有效的發(fā)現(xiàn)硅片、擴(kuò)散、刻蝕、印刷、燒結(jié)等工藝過程存在的問題

     
    聯(lián)系人:陶女士15671696583 027-59722666-8013

    QQ:1563376021

    公司網(wǎng)站:http://www.sunic.com.cn

    測試分選:http://www.sunic.org


    一、EL的測試原理晶體硅太陽電池外加正向偏置電壓,電源向太陽電池注入大量非平衡載流子,電致發(fā)光依靠從擴(kuò)散區(qū)注入的大量非平衡載流子不斷地復(fù)合發(fā)光,放出光子;再利用CCD相機(jī)捕捉到這些光子,通過計算機(jī)進(jìn)行處理后顯示出來,整個的測試過程是在暗室中進(jìn)行,通過分析采集的圖像特種就能分辨出電池片和組件的潛在缺陷。
    二、EL圖像分析
    1.隱裂硅材料的脆度較大,因此在電池生產(chǎn)強(qiáng)度決定于正向注入電流密度和少子擴(kuò)散長度過程中,很容易產(chǎn)生裂片,裂片分兩種,一種是顯裂,另一種是隱裂。前者是肉眼可直接觀察到,但后者則不行。后者在組件的制作過程中更容易產(chǎn)生碎片等問題,影響產(chǎn)能。通過EL圖就可以觀測到。
    2.斷柵印刷不良導(dǎo)致的正面銀柵線斷開,EL圖中顯示為黑線狀。這是因?yàn)闁啪€斷掉后,從busbar上注入的電流在斷柵附近的電流密度較小,致EL發(fā)光強(qiáng)度下降。

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