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GDMS輝光放電質譜儀
利用陰極濺射。輝光放電形成的正離子轟擊樣品，能量從幾百到幾千電子伏的正的氬離子被加速到樣品表面。導致樣品上層被腐蝕或霧化。在質譜儀經過質量分離后測量從濺射區(qū)域產生的分析離子，經RSF轉化成濃度。
GDMS優(yōu)點
能夠探測到每種雜質的化學態(tài)的全部濃度，不需要通過化學方法。可以一次性測出全部的73種元素的含量，可以精度到小數(shù)點8位。檢測成本低
GDMS缺點
H、C、O、N元素的探測極限較差
GDMS適用范圍
石墨  碳  硅  碳化硅 氧化物  陶瓷 等
SIMS基本原理
樣品由氧或者銫源的聚焦一次離子束濺射，形成的二次離子被加速使其脫離樣品表面，由靜電分析器進行能量分離和由電磁質量分析器基于質荷比進行質量分離。