CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件,把金屬鉑研制成粉漿，采用先進(jìn)的激光噴濺薄膜技術(shù),及光刻法和干燥蝕刻法把鉑附著在陶瓷基片上形成膜,引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成。完全自動(dòng)化的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品規(guī)格完全符合IEC、DIN和JIS標(biāo)準(zhǔn)。
規(guī) 格：  
 
 
型號(hào) 瓷片尺寸
(mm)長(zhǎng)×寬×高 阻 值(Ω) 測(cè)量電流 精度 測(cè)量范圍 元件外形(mm) 
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 Pt100 ≤1mA A
B
2B
 -50～400℃  
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 Pt100 ≤2mA 
 
 
精 度：  
 
 
級(jí)別 精度(℃) 0℃時(shí)的阻值容許偏差（Ω） 
A ±（0.15+0.002t） ±0.06 
B ±（0.30+0.005t） ±0.12 
2B ±（0.60+0.001t） ±0.25 
 
 
響應(yīng)時(shí)間：  
 
 
型號(hào) 響應(yīng)時(shí)間 
空氣V=3.0m/s 水 
CRZ-1632-Pt100 7 0.3 
CRZ-2005-Pt100 11 0.3 
 
 
電阻比：  
 
 
級(jí)別 Ohm/ohm/℃ 
A 0.003851±0.000005 
B 0.003851±0.000012 
2B 0.003851±0.000024 
 
 
元件自熱和測(cè)試電流：  
 
 
  工作電流應(yīng)不超過(guò)1mA。把CRZ-1632放在直徑8.0mm的無(wú)任何填充的套管中在0℃冰水混合物中測(cè)試時(shí)，它的電阻增量：1mA時(shí)為0.02Ω（約0.05℃）；5mA時(shí)為0.86Ω（約2.2℃） 
● 自熱誤差可以這樣計(jì)算： 
  △T=P/EK(℃) 
  △T是自熱：EK是自熱系數(shù)；P是電能輸入，P=I2×R/1000（mW），這里I是通過(guò)電流，R是元件電阻。 
● 這樣測(cè)試電流應(yīng)選擇低于用上述公式計(jì)算出的自熱誤差。自熱系數(shù)如下表所列，它取決于外部媒介和元 
  件尺寸。例如當(dāng)CRZ-2005-1000通過(guò)1mA電流時(shí)，在靜止的空氣中，它的自熱為0.5℃。 
 
 
 
型號(hào) 自 熱 系 數(shù)（Mw/℃） 
空氣 靜止水 
風(fēng)速V=1m/s時(shí) 空氣靜止時(shí) 
CRZ—1632 100Ω 2 1 12 
CRZ—2005 100Ω 4 2 20