20V/6.0A，RDS(ON)=29m?@VGS=4.5V
20V/5.2A，RDS(ON)=42m?@VGS=2.5V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and m
場(chǎng)效應(yīng)管。采用絕緣柵結(jié)構(gòu)的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態(tài)。現(xiàn)在用途廣泛，包括電視機(jī)高頻頭（高頻，小電流）到開關(guān)電源（高壓大電流），現(xiàn)在把MOS和雙極型（普通三極管）復(fù)合在一起（IGBT，絕緣柵雙
MOS集成電路：
采用場(chǎng)效應(yīng)管的集成電路，可有和TTL相同的邏輯功能，代表的有4000系列，現(xiàn)在很多CPU已經(jīng)采用MOS電路。具有功耗低的特點(diǎn)。
為提高TTL電路性能，74HC系列就用MOS技術(shù)，大大 場(chǎng)效應(yīng)管的作用
      1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
      2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。
      3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。
      4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒
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